Полупроводниковые Z-сенсоры

1 000 000 USD

Соинвестирование

Полупроводниковые многофункциональные сенсоры различных физических величин (Z-сенсоры) основаны на использовании явления управляемой скачковой проводимости в полупроводниковых структурах с L-образной вольт-амперной характеристикой (Z-эффект).

Эти структуры и возникающие в них явления, обусловленные внешними воздействиями, были разработаны и исследованы в Институте проблем управления РАН д.т.н., профессором Зотовым В.Д. и его сотрудниками.
На отдельные виды структур были получены авторские свидетельства СССР (не публикуются).
В 1992 году было получено свидетельство № 1739402 на полупроводниковые структуры, методы управления их проводимостью и чувствительные элементы на основе этих структур.
В 1998 году был получен Патент США № 5,742,092 с той же формулировкой. Проведено патентование в ряде европейских стран и Китае.

Для восприятия и предварительной обработки информации в структурах использованы межзонные и внутризонные переходы носителей тока по энергетическим уровням. Это позволяет принципиально по новому и с большей эффективностью реализовывать как восприятие и предварительную обработку информации, так и ее съем и передачу в последующие блоки.
Во многих случаях здесь не требуется использование внешних усилителей и преобразователей сигнала, накопительных или запоминающих блоков.
Полупроводниковые структуры, в которых реализуется явление управляемой скачковой проводимости изменяют свои функциональные свойства в результате изменения соотношения концентраций носителей тока в исходном материале и вносимых в него примесях. Структуры становятся чувствительными к разным видам внешних физических воздействий.   
К настоящему времени выявлена чувствительность различных типов структур к следующим видам внешних воздействий:
1. Температура.
2. Магнитное поле.
3. Механическое сжатие и изгиб.
4. Поверхностное касание (тактильное воздействие).
5. Оптическое излучение (0,4-1,5 мкм).
6. Ультрафиолетовое (УФ) излучение (0,25-0,4мкм).  

Технология производства Z-сенсоров разработана предприятием VZ-SENSOR (г.Москва) .  
Наиболее проработанными в настоящее время являются следующие типы Z-сенсоров: Z-термисторы, УФ Z-сенсоры, магнито Z-сенсоры.