Главная Рус Eng

    Компании отрасли региона
  Специальные
предложения
 
Каскад малых ГЭС на реке Белой в Майкопском районе
Представляет: Министерство экономического развития и торговли Республики Адыгея
Отрасль: Энергетика, Гидроэнергетика
Регион: Россия, Республика Адыгея
Объем инвестиций: 688800000 Руб
ID проекта: PRJ001156

Реконструкция Аэропорта Севастополь
Представляет: КП «Аэропорт Севастополь»
Отрасль: Девелопмент, Авиация, Авиастроение, Коммерческая недвижимость, Аэропорты
Регион: Россия, Республика Крым, Севастополь
ID проекта: PRJ001559

Реконструкция Алейского сахарного завода
Представляет: ОАО "Алейский сахарный завод"
Отрасль: Промышленность, Пищевая, Окружающая среда и экология, Биотопливо
Регион: Россия, Алтайский край
Объем инвестиций: 60000000 Евро
ID проекта: PRJ002507






Организация производства пористого фосфида индия

ID:PRJ002083 // Дата обновления: 2013-03-04 // Просмотры: 1

Регион:
Украина, СНГ
Отрасль:
Инновационные технологии
Правообладатели:
Сычикова Яна Александровна
Рейтинг проекта:
 5 баллов (5279 голосов)
Объем инвестиций:
1 811 843 Руб

Цель представления:
Соинвестирование

Описание проекта
Фосфид индия (InP) имеет большие перспективы широкого промышленного производства. На основе фосфида индия создаются обладающие высокими характеристиками полевые транзисторы и другие СВЧ приборы. Монокристаллические пластины InP используются в качестве подложек для выращивания различных гетероструктур, на основе которых создаются эффективные источники излучения (инжекционные лазеры, светодиоды) и быстродействующие фотоприемники для систем волоконно-оптических линий связи. В последнее время множество исследований сосредоточилось на формировании механизма получения пористого слоя и изучении его свето-эммисионных процессов из-за возможности его применения в оптоэлектронике. Пористый InP является очень важным материалом для создания свето-эмиссионных диодов и солнечных батарей. Площадь пористой поверхности в миллионы раз больше площади монокристалла. Это удивительное свойство позволяет оценить преимущество пористых слоев для использования их в изготовлении сенсоров (так как их чувствительность зависит от площади поверхности) и солнечных батарей (возможность накапливания рекордного количества энергии). Пористые полупроводники привлекают внимание многих исследователей благодаря относительно простой технологии их получения, возможности управления геометрическими параметрами пор от нанометровых до микроразмерных объектов, а также перспективами создания комбинированных оптоэлектронных устройств, в которых информация обрабатывается не только в электронном, но и в оптическом виде. В последнее время интенсивно развиваются различные методы для самоорганизованного формирования наноструктур ввиду использования последних для электронных и фотонных устройств, химических и биохимических датчиков и т.д. В полупроводниках  типа А3В5 для формирования наноструктур применяют традиционно довольно дорогой метод молекулярно-лучевой эпитаксии или металлоорганическую эпитаксию с газовой фазой (MOVPE) . Возможная альтернатива этим методам – использование электрохимических процессов по аналогии с получением пористого кремния. Особенностью электрохимического процесса является низкий температурный процесс, малое повреждение поверхности, простота процесса и его низкая стоимость. Электрохимические методы позволяют получать высокую плотность пор, которая является недостижимой при использовании других методов.

Состояние проекта
1. получен опытный образец2. получено 10 патентов
Ключевые экономические показатели

  1. Срок реализации - 1 год(а)/лет
  2. Срок окупаемости - 1 год(а)/лет
  3. Общая прибыль - 33 146 271 Руб
  4. Доходность на средства акционеров (ROI) - 2043 % в год
  5. Чистый приведенный доход (NPV) - 21 240 700 Руб
  6. Внутренняя норма рентабельности (IRR) - 198 % в год

Контактная информация



Комментировать могут только зарегистрированные пользователи!